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SRAM存储器写操作分析

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发表于 2020-4-30 15:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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目前针对不同的应用市场,SRAM产品的技术发展已经呈现出了两大趋势:一是向高性能通信网络所需的高速器件发展,由于读写速度快,SRAM存储器被用作计算机中的高速缓存,提高它的读写速度对于充分发挥微处理器的优势,改善处理器性能有着积极的意义。另一个是降低功耗,以适应蓬勃发展的便携式应用市场。英尚微电子介绍关于SRAM读写中“写操作”分析。
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SRAM写操作分析
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- F, }: j8 Y4 O5 M& W1 `写操作与读操作正好相反,它要使存储单元的状态按照写入的数据进行相应的翻转。如图1 表示了六管单元的写操作示意图。位线BIT_在写操作开始时被驱动到低电平。在字线打开传输管后,N3 与P1 管在BIT 与高电平VDD 之间形成分压。为了写操作的成功,也就是下拉节点A 至足够的低电平,启动反相器P2/N2放大新数据,传输管N3 应该比P1 管有更好的导通性。一旦反相器P2/N2 开始放大节点A 上的低电压,也就是节点A 上的下拉管N2 被关闭,上拉管P2 被打开,节点B 的电压将上升,反相器P1/N1 也将被启动,节点A 在正反馈作用下进一步向GND 转化,写操作被加速。
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图1 六管单元的写操作

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在六管单元的写操作中,外部电路驱动两个互补的信号到位线BIT 和BIT_上,字线驱动器驱动字线ROW 到高电平,位线信号经两个传输管写入存储节点。如图1 所示的正是向存有“1”的单元写“0”的情况,也就是把A 点的电平由VDD 下拉至GND。3 K4 Y( ]9 L! [
  • TA的每日心情

    2019-11-19 15:55
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2020-4-30 16:07 | 只看该作者
    写操作与读操作正好相反,它要使存储单元的状态按照写入的数据进行相应的翻转。如图1 表示了六管单元的写操作示意图。位线BIT_在写操作开始时被驱动到低电平。在字线打开传输管后,N3 与P1 管在BIT 与高电平VDD 之间形成分压。为了写操作的成功,也就是下拉节点A 至足够的低电平,启动反相器P2/N2放大新数据,传输管N3 应该比P1 管有更好的导通性。一旦反相器P2/N2 开始放大节点A 上的低电压,也就是节点A 上的下拉管N2 被关闭,上拉管P2 被打开,节点B 的电压将上升,反相器P1/N1 也将被启动,节点A 在正反馈作用下进一步向GND 转化,写操作被加速。
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